一个好的MOSFET驱动电路应当有以下几点要求

导通时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

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耗尽型MOS管工作原理

工作时,栅源之间不加电压,同增强型MOS管不同,漏源之间存在导电沟道,因此只要在漏源之间加正向电压,就会产生漏极电流。

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实际应用中可控硅的开关频率

在实际应用中,可控硅开关频率主要受到以下因素的影响

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可控硅和IGBT区别

可控硅和IGBT是现代电力电子领域中常用的两种功率半导体器件。

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静止式进相器的可控硅

静止式进相器是串接在电机转子回路中,通过改变转子电流与转子电压的相位关系,进而改变电机定子电流与电压的相位关系,达到提高电机自身的功率因数和效率,提高电机过载能力、降低电机定子电流、降低电机自身损耗的目的。

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瞬态二极管在使用中应注意的事项

对瞬变电压的吸收功率(峰值)与瞬变电压脉冲宽度间的关系,手册给的只是特定脉宽下的吸收功率(峰值),而实际线路中的脉冲宽度则变化莫测,事前要有估计,对宽脉冲应降额使用。

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